UNR5113G0L中文资料
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- 大小：130KB
- 厂家：
- 描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2
- 数据列表：UNR5113G0L View all Specifications
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：47k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 5mA，10V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
- 频率 - 转换：80MHz
- 功率 - 最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-85
- 供应商设备封装：S迷你型3-F2
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：UNR5113G0LTR
UNR5113G0L供应商
更新时间:2023-01-05 00:49:59- 供应商
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